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赫爾納供應(yīng)德國microchemicals蝕刻劑

更新時(shí)間:2023-08-10

訪問量:3029

廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

生產(chǎn)地址:

簡要描述:
赫爾納供應(yīng)德國microchemicals蝕刻劑25° C 時(shí)的蝕刻速率約為每分鐘 0.3-0.4 µm。我們建議在 8-16% (30%) 的存在下執(zhí)行蝕刻過程。如果不添加過氧化氫,蝕刻速率會(huì)顯著降低且不均勻。
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赫爾納供應(yīng)德國microchemicals蝕刻劑赫爾納供應(yīng)德國microchemicals蝕刻劑赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢供應(yīng),德國總部直接采購,近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗(yàn),原裝產(chǎn)品,支持選型,為您提供一對(duì)一好的解決方案:貨期穩(wěn)定,快速報(bào)價(jià),價(jià)格優(yōu),在中國設(shè)有8大辦事處提供相關(guān)售后服務(wù).

公司簡介:

我們的光刻膠、溶劑、蝕刻化學(xué)品、晶圓和電鍍電解液的產(chǎn)品范圍外,我們努力在我們的支持下,作為我們產(chǎn)品的用戶,使您在潔凈室中的工作盡可能高效,我們的集裝箱尺寸。

microchemicals蝕刻劑主要產(chǎn)品:

microchemicals蝕刻劑

microchemicals光刻膠

microchemicals蝕刻劑產(chǎn)品型號(hào):

TiW etch 200

TechniEtchCN10

microchemicals蝕刻劑產(chǎn)品特點(diǎn):

清漆:商業(yè)酚醛清漆作為遮蔽清漆(例如 AZ ®光致抗蝕劑)

金屬:蝕金、鉻、鎳;銅

半導(dǎo)體材料:Si、SiO2、Si3N4

低底切(在層厚范圍內(nèi)),結(jié)構(gòu)分辨率低于1μm

對(duì)許多材料具有選擇性,包括電鍍金屬

與油漆掩模兼容

microchemicals蝕刻劑產(chǎn)品應(yīng)用:

microchemicals蝕刻劑TiW etch 200是一種鈦鎢蝕刻劑,用于鈦鎢合金層的濕化學(xué)結(jié)構(gòu)化,對(duì)金、鉑、鎳、鉻等金屬具有選擇性。常見的應(yīng)用領(lǐng)域可以在半導(dǎo)體和微系統(tǒng)技術(shù)的粘合層結(jié)構(gòu)中找到。銅鎳蝕刻液,堅(jiān)硬和耐腐蝕的金屬,在顯微結(jié)構(gòu)中經(jīng)常被用作基體和成長的金屬層之間的厚度層。作為硅基底和鋁基底之間的分水嶺,它是阻止硅在 Alzur 中滲透的屏障。鋁尖峰是指鋁從中分離出來的硅回到空氣中,由此產(chǎn)生的短路。

microchemicals蝕刻劑TechniEtchCN10是一種由硝酸和磷酸組成的銅和鎳蝕刻溶液。25° 時(shí)的蝕刻速率約為每分鐘 0.3-0.4 µm。我們建議在 8-16% (30%) 的存在下執(zhí)行蝕刻過程。如果不添加過氧化氫,蝕刻速率會(huì)顯著降低且不均勻。microchemicals蝕刻劑蝕刻速率取決于鈦沉積工藝和所得的晶體結(jié)構(gòu)。正電阻、負(fù)電阻和反轉(zhuǎn)電阻在正性抗蝕劑的情況下,曝光區(qū)域由于在那里形成茚羧酸而變得可溶于顯影劑。由于正性抗蝕劑不會(huì)交聯(lián),超過其軟化點(diǎn)(約 100-130°C)會(huì)導(dǎo)致抗蝕劑輪廓變圓。

microchemicals蝕刻劑AZ ® nLOF 2000 系列或AZ ® 15nXTAZ ® 125nXT等負(fù)性抗蝕劑通過后續(xù)烘烤步驟(對(duì)于AZ ® 125nXT則不需要)在曝光區(qū)域中交聯(lián),并保留在曝光區(qū)域中。顯影后的基材。microchemicals蝕刻劑室溫下銅的蝕刻速率通常約為 至 3.5 μm/min。只有添加氨來穩(wěn)定 pH 值,蝕刻溶液才能連續(xù)運(yùn)行(氨會(huì)隨著時(shí)間的推移而逸出,具體取決于循環(huán)條件)。如果不進(jìn)行跟蹤,蝕刻液會(huì)提前耗盡。銅產(chǎn)量為 30 至 50 /升。microchemicals蝕刻劑建議遲在蝕刻速率降低20%或蝕刻時(shí)間延長不符合規(guī)范時(shí)丟棄該溶液。

microchemicals蝕刻劑Cu etch 200 UBM是一種中性(弱堿性)銅蝕刻劑,用于濕式化學(xué)去除銅層,作為電鍍開始,對(duì) Ni、Au、Cr、SnTi 等金屬具有選擇性。適用于半導(dǎo)體和微系統(tǒng)技術(shù),例如,在電鍍銅后去除起始層以進(jìn)行凸塊下金屬化 (UBM) 時(shí)。40°時(shí)的蝕刻速率通常為 10 至 15 nm/min,RT 時(shí)的蝕刻速率相應(yīng)較低。在室溫下,約 180 秒即可結(jié)構(gòu)化/去除 30 納米厚的鉻層。microchemicals蝕刻劑蝕刻液穩(wěn)定,可根據(jù)要求多次使用。蝕刻混合物集中于Ti、TiWTiNCu凸塊柱的連接,以自行混合。microchemicals蝕刻劑TechniEtch™ TBR19 濃縮物與大多數(shù)凸塊下金屬化 (UBM) 和銅柱集成材料兼容,例如銅、鋁、鎳、玻璃、有機(jī)基板和許多塑料,例如聚丙烯、HDPE、PFAKalrez PTFE、PEEK 和 PE50℃時(shí)的蝕刻速率約為1000A/min。microchemicals蝕刻劑在高溫下,也能防止油漆輪廓變圓。然而,在高工藝溫度下,熱交程度會(huì)增加到濕化學(xué)剝離變得困難。

 

 



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